深槽高压终端结构的制作方法以及高压半导体器件

摘要

本发明提供一种深槽高压终端结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上依次形成有高压半导体器件、覆盖高压半导体器件的氧化层以及图形化的互连线；依次刻蚀氧化层和半导体衬底，在高压半导体器件两侧分别形成深槽，深槽刻蚀掉一部分阱区并延伸至半导体衬底中；在氧化层表面涂覆阻挡材料，深槽也会被同步填满；在高压半导体器件的引线孔的位置刻蚀阻挡材料，露出底部的互连线。本发明还提供一种高压半导体器件。本发明当器件受到高压偏置时，其阱区的耗尽层在横向方向被填满阻挡材料的深槽阻挡，故只能纵向延伸。由此，器件下方的电势等位线基本上没有弯曲，电力线比较均匀，击穿电压接近于平面结，避免了电力线密集处电压易击穿的问题。

主权项

一种深槽高压终端结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上依次形成有高压半导体器件、覆盖所述高压半导体器件的氧化层以及图形化的互连线；依次刻蚀所述氧化层和半导体衬底，在所述高压半导体器件两侧分别形成深槽，所述深槽刻蚀掉一部分阱区并延伸至所述半导体衬底中；在所述氧化层表面涂覆阻挡材料，所述深槽也会被同步填满；在所述高压半导体器件的引线孔的位置刻蚀所述阻挡材料，露出底部的互连线。