发明名称 |
涂布处理方法、程序、计算机存储介质和涂布处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种涂布处理方法、程序、计算机存储介质和涂布处理装置,能够在使用旋涂法将涂布液涂布于基板的情况下,使涂布液的涂布量为少量,并且使涂布液均匀地涂布在基板面内。该涂布处理方法,包括:在使晶片加速旋转的状态下,从喷嘴向该晶片的中心部喷出抗蚀剂液,将抗蚀剂液涂布在晶片上的涂布工序(S3);之后将晶片的旋转减速,使晶片上的抗蚀剂液平坦化的平坦化工序(S4);以及,之后将晶片的旋转加速,使晶片上的抗蚀剂液干燥的干燥工序(S5)。在涂布工序(S3)中,使晶片的旋转加速度按照第一加速度、大于上述第一加速度的第二加速度和小于上述第二加速度的第三加速度的顺序变化,使该晶片始终加速旋转。 |
申请公布号 |
CN102211076A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110090050.X |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
吉原孝介;一野克宪 |
分类号 |
B05D1/40(2006.01)I;B05C11/08(2006.01)I;B05D3/00(2006.01)I;B05B13/04(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
B05D1/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种涂布处理方法,该涂布处理方法为基板的涂布处理方法,其特征在于,包括:在使基板加速旋转的状态下,从喷嘴向所述基板的中心部喷出涂布液,将所述涂布液涂布在所述基板上的第一工序;之后将基板的旋转减速,使该基板继续旋转的第二工序;和之后将基板的旋转加速,使该基板上的涂布液干燥的第三工序,其中,在所述第一工序中,使基板的旋转的加速度按照第一加速度、大于所述第一加速度的第二加速度和小于所述第二加速度的第三加速度的顺序变化,使基板始终加速旋转。 |
地址 |
日本东京 |