以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法

摘要

本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。本发明提供的方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。

主权项

一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，其特征在于，在SOI衬底上制备，包括如下步骤：1)隔离工艺；2)淀积与Si有较高刻蚀选择比的材料A；3)光刻定义硬掩膜；4)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到材料A硬掩膜上，再通过刻蚀，将图形从硬掩膜转移到Si上，形成Si Fin条；5)淀积多晶硅；6)注入多晶硅；7)淀积SiN；8)光刻定义沟道和大源漏区；9)刻蚀SiN，刻蚀多晶硅，形成Si Fin和大源漏；10)淀积SiN；11)刻蚀SiN，形成SiN侧墙；12)氧化，形成纳米线；13)湿法去除氧化层，形成悬空纳米线；14)形成栅氧化层；15)淀积多晶硅；16)注入多晶硅；17)光刻定义栅线条；18)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；19)湿法腐蚀SiN；20)淀积SiO2，形成空气侧墙；21)退火激活杂质；22)采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。