集成电路中的缺陷监测用结构

摘要

本实用新型提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，该结构包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。本实用新型提出的集成电路中的缺陷监测用结构及其制造方法，解决现有技术中在设备校准、检测、监控时无法直接对划痕缺陷进行分类校准的问题。

主权项

一种集成电路中的缺陷监测用结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。