一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法

摘要

一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法，属于纳米金属颗粒与宽带隙半导体材料复合材料领域。本发明步骤如下：第一步：将硅或者石英衬底进行清洗之后，在衬底材料上使用溅射方法沉积纳米银颗粒，沉积时间5s～10s范围，功率40～80W；工作气体为Ar气体，工作气压小于1Pa，抽真空；在第一步的基础上以溅射的方法沉积六方氮化硼薄膜，功率100～200W，时间10～40mins；工作气体为Ar/N2体积比为2∶3的混合气体，工作气压为1Pa，抽真空；对含有纳米银颗粒的六方氮化硼薄膜进行氮气保护退火；退火温度为500～900℃；恒温20～60分钟。本发明实现了宽带隙半导体材料的红外光谱增强。

主权项

一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：第一步：将硅或者石英衬底进行清洗之后，在衬底材料上使用溅射方法沉积纳米银颗粒，沉积时间5s～10s范围，功率40～80W；工作气体为Ar气体，工作气压小于1Pa，抽真空；第二步：在第一步的基础上以溅射的方法沉积六方氮化硼薄膜，功率100～200W，时间10～40mins；工作气体为Ar/N2体积比为2∶3的混合气体，工作气压为1Pa，抽真空；第三步：对含有纳米银颗粒的六方氮化硼薄膜进行氮气保护退火；退火温度为500～900℃；恒温20～60分钟。