发明名称 |
制作电容式麦克风元件的振膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作电容式麦克风元件的振膜的方法。所述方法包括:提供基底,在该基底的第一表面形成介电层。接着在该介电层的表面形成多个硅间隙物。随后图案化该介电层,使该介电层形成多个介电凸块,再在该介电凸块上形成振膜层,并通过所述介电凸块使该振膜层具有皱折结构。接着在该基底的第二表面形成多个对应于该皱折结构的开口。最后去除所述开口暴露出的该介电凸块。 |
申请公布号 |
CN101060726B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200610074668.6 |
申请日期 |
2006.04.21 |
申请人 |
探微科技股份有限公司 |
发明人 |
何宪龙 |
分类号 |
H04R19/00(2006.01)I;H04R29/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种制作电容式麦克风元件的振膜的方法,包括:提供基底,并在所述基底的第一表面形成介电层;在所述介电层的表面形成多个硅间隙物,形成所述硅间隙物的步骤包括:在所述介电层的表面沉积硅层;及蚀刻部分所述硅层并在所述介电层停止蚀刻,以形成所述硅间隙物,其中各所述硅间隙物具有垂直侧壁;图案化所述介电层,使所述介电层形成多个介电凸块;在所述硅间隙物、所述介电凸块与所述基底的第一表面上形成振膜层,并通过所述介电凸块使所述振膜层具有皱折结构;在所述振膜层上形成平坦层,接着蚀刻所述基底的第二表面,以形成多个对应于所述皱折结构的开口;去除所述开口暴露出的介电凸块;以及去除所述平坦层。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |