| 发明名称 | 氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种既不使发光效率降低又能够使发光波长长波长化的氮化物半导体器件，本发明的氮化物半导体器件包括：具有(0001)面和(0001)面以外的面的GaN层(103)；以及含有铟并与GaN层(103)相接的InGaN层(104)，在InGaN层(104)中，与(0001)面以外的面相接的部分的铟的组成比，比与(0001)面相接的部分的铟的组成比高。 | ||
| 申请公布号 | CN102217153A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN200980145150.9 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 泷泽俊幸;上田哲三 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体器件，包括：第一氮化物半导体，该第一氮化物半导体具有(0001)面和(0001)面以外的面；以及第二氮化物半导体，与所述第一氮化物半导体相接，并含有铟；在所述第二氮化物半导体中，与所述(0001)面以外的面相接的部分的铟的组成比，比与所述(0001)面相接的部分的铟的组成比高。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||