| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。根据本发明的半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底(1001)；在半导体衬底(1001)上形成的栅极；以及分别在栅极两侧的半导体衬底(1001)中形成的高掺杂的第一导电类型的区域(1008)和高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，其中，高掺杂的第二导电类型的区域(1012)在栅极一侧的端部通过介质层(1011′)与半导体衬底(1001)隔开。这种半导体器件能够提供极佳的开关性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102214690A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201010145090.5 | 申请日期 | 2010.04.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件(100)，包括：第一导电类型的半导体衬底(1001)；在半导体衬底(1001)上形成的栅极；以及分别在栅极两侧的半导体衬底(1001)中形成的高掺杂的第一导电类型的区域(1008)和高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，其中，高掺杂的第二导电类型的区域(1012)在栅极一侧的端部通过介质层(1011′)与半导体衬底(1001)隔开。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||