利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法

摘要

本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。

主权项

一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法，其特征在于，至少包含：提供一基材；形成一闸极电极层于该基材上；对该闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至该闸极电极层内，并于该闸极电极层内或该闸极电极层的一上部形成一电性中和区；形成一硬罩幕层于经处理的该闸极电极层；以及图案化该硬罩幕层、经处理的该闸极电极层以及该闸极电极层。