发明名称 具扇出且具堆栈用连接组件的半导体装置封装件及其制法
摘要 本发明提出了一种具扇出且具堆栈用连接组件的半导体装置封装件及其制法。该半导体装置封装件的实施例包括:(1)包含一图案化导电层的一互连单元;(2)实质上垂直延伸自导电层的一电性互连件;(3)毗邻于互连单元且电性连接至导电层的一半导体装置;(4)一封装件主体:(a)实质上覆盖互连单元的上表面及该装置;以及(b)毗邻于封装件主体的上表面定义一开口,并外露互连件的上表面;以及(5)电性连接至装置,实质上填满开口,且外露于装置封装件的外部周围的一连接组件。互连件的上表面于一第二平面之上及于一第三平面之下定义出一第一平面,第二平面由互连单元的上表面的至少一部分所定义,第三平面由封装件主体的上表面所定义。
申请公布号 CN102214615A 申请公布日期 2011.10.12
申请号 CN201110043274.5 申请日期 2011.02.15
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 丁一权;陈家庆
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体装置封装件,包括:一互连单元,包括:一上表面;及一第一图案化导电层,实质上旁侧延伸于该互连单元内;一电性互连件,实质上垂直延伸自该第一图案化导电层,且包括:(a)一上表面;及(b)毗邻于该第一图案化导电层一上表面的一下表面;一第一半导体装置,设置成毗邻于该互连单元的该上表面且电性连接至该第一图案化导电层;一封装件主体,实质上设置成覆盖该互连单元与该第一半导体装置的该上表面,该封装件主体毗邻于该封装件主体的一上表面定义有一第一开口而外露该电性互连件的该上表面;以及一连接组件,电性连接至该第一半导体装置并实质上填满该第一开口,且该连接组件外露于该半导体装置封装件的一外部周围;其中,该电性互连件的该上表面定义出一第一平面于一第二平面之上及于一第三平面之下,该第二平面由该互连单元的该上表面的至少一部分所定义,该第三平面由该封装件主体的该上表面所定义。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号