| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其加工方法和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构及其加工方法和半导体器件制造方法。根据本发明的浅沟槽隔离结构加工方法包括：掩膜提供步骤，在具有浅沟槽隔离区的衬底上涂覆掩膜；以及刻蚀步骤，根据所述掩膜对所述浅沟槽隔离区进行刻蚀，从而在所述浅沟槽隔离区中的边界部分浅沟槽隔离区的外周形成突起。通过根据本发明的浅沟槽隔离结构加工方法，能够能够在较大浅沟槽隔离和较小浅沟槽隔离之间平衡隔离区介质层的高度，并且同时解决较低隔离区介质层所造成的泄漏问题以及较高隔离区介质层所造成的对器件性能和工艺过程的不良影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102214597A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201110142011.X | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 江红;孔蔚然 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构加工方法，其特征在于包括：掩膜提供步骤，在具有浅沟槽隔离区的衬底上涂覆掩膜；以及刻蚀步骤，根据所述掩膜对所述浅沟槽隔离区进行刻蚀，从而在所述浅沟槽隔离区边界部分浅沟槽隔离区的外周形成突起。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||