发明名称 |
非磁性离子Zn<sup>2+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Al<sup>3+</sup>掺杂SnO<sub>2</sub>基磁性半导体薄膜材料及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料及制备方法。材料分子结构式为Sn1-xMexO2,x=0-17%,Me代表Zn、Mg或Al。方法:脉冲喷雾蒸发化学气相沉积(PSE-CVD,Pulsedspray-evaporationchemicalvapordeposition)。将n-(C4H9)2Sn(acac)2(acac=乙酰丙酮基)、Zn(acac)2或Mg(acac)2或Al(acac)3作为前驱物,溶于乙醇中,作为源溶液。向蒸发室内通入一定量的氮气和氧气,分别作为载气和反应气,将源溶液脉冲喷射至蒸发室内,而后输运至加热的衬底表面,沉积获得薄膜样品。脉冲喷雾蒸发化学气相沉积法具有远离平衡态制备、技术简单、定量控制、低耗费且易于获得大面积薄膜等优点,在制得具有室温铁磁性纯SnO2半导体的基础上,成功引入非磁性离子Zn2+或Mg2+或Al3+,使磁性能得到提高,并通过改变掺杂离子的掺杂量有效调制磁性能。 |
申请公布号 |
CN102212796A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110127983.1 |
申请日期 |
2011.05.18 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
姜银珠;严密;李勇;马天宇 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
张法高 |
主权项 |
一种非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料,其特征在于材料分子结构式为Sn1-xMexO2,x=0‑17%,Me代表Zn、Mg或Al。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |