| 发明名称 | 用于二嵌段聚合物的超薄对准壁 | ||
| 摘要 | 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。 | ||
| 申请公布号 | CN102216987A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN200980145649.X | 申请日期 | 2009.11.13 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 李金杨;D·S·阔;D·布切尔;K·佩霍斯 |
| 分类号 | G11B5/855(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/855(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供具有厚壁阵列的预规则化衬底；在所述预规则化衬底上沉积共形层；从所述厚壁和所述壁之间的衬底区域的顶部蚀刻所述共形层；以及去除所述厚壁，同时留下共形层的薄壁。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||