识别具有较差的亚阈斜率或较弱的跨导的非易失存储器元件的方法

摘要

本发明提出用于对具有较差的亚阈斜率与降低的跨导的单元进行识别的若干方法。第一组技术集中于降级的存储元件的较差的亚阈特性，其通过使单元循环，随后将所述单元编程为高于接地状态的一状态，随后用低于此状态的阈电压的一控制栅极电压读取所述单元，以检验所述单元是否仍导通。第二组实施例集中于较弱的跨导特性，其是通过用超过所述阈电压很多的一控制栅极电压读取已编程的单元。第三组实施例改变所述存储元件的源极-漏极区域处的电压电平。在偏压条件的此偏移下，好的存储元件的电流-电压曲线是相对稳定的，而降级的元件则显示一较大的偏移。所述偏移量可用于区分好的元件与坏的元件。

主权项

一种用于确定具有多个存储元件的一非易失存储器的质量的方法，其包含：对所述存储元件的一第一群进行编程，以建立对应于一第一组偏压条件的阈值的一分布；和随后，响应于一第二组偏压条件，确定所述第一群存储元件的阈值在所述分布中的偏移，其中所述存储元件的每一者具有一第一源极‑漏极区域和一第二源极‑漏极区域，且其中所述第一组偏压条件与所述第二组偏压条件在所述第一源极‑漏极区域和所述第二源极‑漏极区域处使用不同的电压电平。