| 发明名称 | 高纯多晶硅的无损材料检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及无污染及无损伤检测定形多晶硅体材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101135673B | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN200710147827.5 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 瓦克化学有限公司 | 发明人 | A·黑根;M·尚茨;B·利希腾内格 |
| 分类号 | G01N29/07(2006.01)I;G01N29/28(2006.01)I;G01N29/44(2006.01)I | 主分类号 | G01N29/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 用于无污染及无损伤检测定形多晶硅体的材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波耦合是利用无气泡的水通过水喷射法进行的，其中所述水为完全去离子水，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷；该定形多晶硅体是由含硅的气体或含硅的气体混合物在西门子反应器中的热分解和化学气象沉积所制造的；该定形多晶硅体的直径在3mm到300mm之间；以及该定形多晶硅体的长度在10mm到4500mm之间。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||