发明名称 积层正热阻器
摘要
申请公布号 TWI350547 申请公布日期 2011.10.11
申请号 TW097108920 申请日期 2008.03.13
申请人 村田製作所股份有限公司 日本 发明人 三原贤二良 日本;岸本敦司 日本
分类号 H01C7/02 主分类号 H01C7/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种积层正热阻器,其特征为包含:陶瓷素体,其系由复数半导体陶瓷层与复数内部电极积层而成,该等半导体陶瓷层包含以BaTiO3为主成分并含半导体化剂之陶瓷材料,该等内部电极系沿着前述半导体陶瓷层之界面所形成;及外部电极,其系形成于前述陶瓷素体之两端面,且与前述内部电极电性连接而成;将分别位于积层方向最外侧之2个内部电极间所存在之复数半导体陶瓷层作为有效层,将比分别位于最外侧之2个前述内部电极更加位于陶瓷素体表面部侧之半导体陶瓷层作为保护层时,成为前述保护层之半导体陶瓷层所含之半导体化剂之离子半径,系比成为前述有效层之半导体陶瓷层所含之半导体化剂之离子半径大。
地址 日本