| 主权项 |
一种高电流半导体功率小外形积体电路封装，其特征在于，该封装包括：由具有大于8密尔mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框，该引线框具有多个引线和第一引线框区，该第一引线框区包括焊接到其上的晶片；一对设置在与晶片顶表面同一平面上的引线键合区域；将晶片连接到多个引线上的铝制大直径键合导线，其中键合导线具有最大20mil的直径；和密封晶片，键合导线和引线框的至少一部分的树脂体；其中，所述晶片包括一积体电路，该积体电路包括FET场效应电晶体器件；该等引线包括分别连接到FET器件的源极区域、栅极区域和漏极区域的一源极引线、一栅极引线和一漏极引线；该源极引线包括一源极引线侧向延伸部分以及以互相相隔的关系从该源极引线侧向延伸部分垂直延伸的第一和第二部分，该源极引线侧向延伸部分以及该第一和第二部分暴露于该树脂体外。 |
