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经营范围
发明名称
半导体装置之制造方法及基板处理装置
摘要
申请公布号
TWI350554
申请公布日期
2011.10.11
申请号
TW094139139
申请日期
2005.11.08
申请人
日立國際電氣股份有限公司 日本
发明人
尾崎贵志 日本;笠原修 日本;野田孝晓 日本;前田喜世彦;森谷敦;坂本农
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置之制造方法,具备有:将基板搬入反应炉内的步骤;对前述反应炉内供给前处理气体,对基板进行前处理的步骤;对前述反应炉内供给处理气体,对于做完前述前处理的基板进行本处理的步骤;以及从前述反应炉搬出前述本处理后之基板的步骤;在前述前处理步骤中,把矽烷系气体当作前述前处理气体供给到前述反应炉内;在前述前处理结束之后,至前述本处理开始为止的期间,至少在真空排出前述反应炉内的空气之际,于前述反应炉内经常持续供给氢气。
地址
日本
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