Method of manufacturing a flash memory device

摘要

본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 플로팅 게이트의 표면을 산화시켜 산화막을 형성한 후 이를 제거함으로써, 플로팅 게이트의 표면에 형성된 산화막의 두께만큼 플로팅 게이트와 플로팅 게이트 사이의 스페이스를 확보하여 셀의 간섭 효과를 감소시키고, 소자의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.