| 摘要 |
<p>본 발명은 SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 플래쉬 메모리에 관한 것으로서, 특히 생산라인 후단(BEOL: back-end-of-line) 처리 장치에서 자외선(UV:ultraviolet) 유도 전하를 줄이기 위한 자외선 방사 차단층을 포함하는 SONOS 플래쉬 메모리 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 SONOS 플래쉬 메모리 장치(10, 50)는, SONOS 플래쉬 메모리 셀(24)와, 자외선 차단 물질로 형성되며 적어도 하나의 자외선 방호층(38,46,48, 그리고/또는 52)을 포함하여 구성되는 것이 특징이다. 본 발명에 따른 자외선 유도 전하 발생으로부터 SONOS 플래쉬 메모리 셀을 보호하는 방법은, 반도체 장치에 SONOS 플래쉬 메모리 셀을 제조하는 단계와, 상기 SONOS 플래쉬 메모리 셀 위에 자외선 차단 물질로 형성된 적어도 하나 이상의 자외선 방호층을 증착하는 단계를 포함하는 것이 특징이다.</p> |
