| 发明名称 |
Process for the preparation of crystals, especially silicon carbide from the gas phase |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL390896(A1) |
申请公布日期 |
2011.10.10 |
| 申请号 |
PL20100390896 |
申请日期 |
2010.04.01 |
| 申请人 |
INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIA&LSTROK,OW ELEKTRONICZNYCH |
发明人 |
TYMICKI EMIL;GRASZA KRZYSZTOF;RACKA-DZIETKO KATARZYNA |
| 分类号 |
C30B23/00;C01B31/36;C30B25/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C30B23/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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