发明名称 Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
摘要 <p>실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 복수의 화합물 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 화합물 반도체층 위에 전극; 상기 화합물 반도체층 아래에 반사층; 상기 반사층 아래에 전도성 지지부재; 및 상기 화합물 반도체층의 하면 둘레에 투광성의 채널층을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101072034(B1) 申请公布日期 2011.10.10
申请号 KR20090098363 申请日期 2009.10.15
申请人 发明人
分类号 H01L33/10 主分类号 H01L33/10
代理机构 代理人
主权项
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