| 摘要 |
<p>차광막의 웨트 에칭 특성을 최적화시킴으로써 단면 형상이 양호한 차광막의 패턴을 형성할 수 있고, 또한 패턴의 까칠함이 매우 작은 차광막의 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공한다. 차광성 기판 상에 차광막을 갖는 포토마스크 블랭크에서, 상기 포토마스크 블랭크는, 상기 차광막 상에 형성되는 마스크 패턴을 마스크로 하여 웨트 에칭 처리에 의해, 상기 차광막을 패터닝하는 포토마스크의 제작 방법에 대응하는 처리용의 포토마스크 블랭크로서, 상기 차광막은, 크롬을 함유하는 재료로 이루어지고, 또한 X선 회절에 의한 CrN(200)의 회절 피크로부터 산출되는 결정자 사이즈가 10㎚ 이하이다. 또한, 상기 차광막을 웨트 에칭 처리에 의해 패터닝하여 상기 기판 상에 차광막 패턴이 형성된 포토마스크를 얻는다.</p> |
