发明名称 ION IMPLANTING APPARATUS
摘要 <p>본 발명의 이온 주입 장치(10)는, 이온 빔을 생성하는 이온원(22)과, 띠상(狀) 이온 빔으로 정형(整形)하는 빔 정형부(20)와, 띠상 이온 빔의 두께 방향의 두께를 얇게 하여 수속(收束)시킨 후, 처리 기판(62)에 조사(照射)시키는 빔 수송부(30)와, 띠상 이온 빔을 처리 기판(62)에 조사하는 처리부(60)와, 띠상 이온 빔의 빔의 두께 방향에 있어서의 전류 밀도의 합계값을, 빔 폭의 방향의 분포로 나타낸 전류 밀도 분포를 조정하는 렌즈 요소(40)를 가지고, 렌즈 요소(40)는, 이온 빔의 수속 위치(52)의 근방의 영역에, 이온 빔의 전류 밀도 분포가 조정되도록 설치되어 있다. 이 구성에 의하여, 띠상 이온 빔의 일부분을 띠상 이온 빔의 면 내에서 작게 휘게 하여 전류 밀도 분포를 정도 좋게 조정할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101071581(B1) 申请公布日期 2011.10.10
申请号 KR20097016138 申请日期 2008.03.28
申请人 发明人
分类号 H01J37/30;H01L21/265 主分类号 H01J37/30
代理机构 代理人
主权项
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