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<p>절연 기판의 상부에 비정질 규소 박막을 결정화하여 다결정 규소막을 형성한다. 이어, 다결정 규소막 상부에 절연막을 형성한 다음, 다결정 규소막 및 제1 절연막을 함께 패터닝하여 반도체층과 제1 게이트 절연막을 형성하고, 기판의 상부에 제2 게이트 절연막을 적층하여 게이트 절연막을 완성한다. 반도체층의 제2 게이트 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하고, 반도체층에 불순물을 주입하여 게이트 전극을 중심으로 양쪽의 상기 반도체층에 소스 및 드레인 영역을 형성하고, 게이트 전극을 덮는 제1 층간 절연막을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 각각 형성하고, 소스 및 드레인 전극을 덮는 제2 층간 절연막을 형성하고, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성한다.</p> |
