| 摘要 |
L'invention concerne selon un premier aspect réalisé sur un substrat semi-conducteur sur isolant comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur séparée d'un substrat de base par une couche isolante, comportant un transistor d'un premier type de canal en série avec un transistor d'un deuxième type de canal entre une première et une seconde bornes d'application d'un potentiel d'alimentation, chacun des transistors comprenant une région de drain et une région de source dans la couche mince, un canal s'étendant entre la région de source et la région de drain, et une grille de contrôle avant située au-dessus du canal, caractérisé en ce que chaque transistor possède une grille de contrôle arrière formée dans le substrat de base au-dessous du canal du transistor et apte à être polarisée pour moduler la tension de seuil du transistor, et en ce que l'un au moins des transistors est configuré pour fonctionner en mode de déplétion sous l'action d'un signal de grille arrière venant suffisamment moduler sa tension de seuil.
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