| 摘要 |
<p>본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 터널 옥사이드, 터널 옥사이드의 상면에 서로 분리되어 형성된 제 1 전하 포획 영역들, 터널 옥사이드 내에, 제 1 전하 포획 영역들과 오버랩되지 않도록 형성된 제 2 전하 포획 영역, 제 1 전하 포획 영역들과 제 1 전하 포획 영역들 사이에 노출된 터널 옥사이드 상에 형성된 블로킹 옥사이드 및 블로킹 옥사이드 상에 형성된 콘트롤 게이트를 포함한다.</p> |
