| 摘要 |
<p>본 발명은, 선택성 및 기판 면내의 막두께 균일성을 유지하면서 충분히 두꺼운 에피택셜막을 성장시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 표면에 적어도 실리콘 노출면과 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 노출면을 구비하는 기판을 처리실 내에 반입하는 공정과, 상기 처리실 내의 상기 기판을 소정의 온도로 가열한 상태에서 상기 처리실 내에, 적어도 실리콘을 포함하는 제1 처리 가스와 에칭계의 제2 처리 가스를 함께 공급하는 제1 가스 공급 공정과, 상기 처리실 내에, 상기 제2 처리 가스 또는 상기 제2 처리 가스보다 에칭력이 강한 에칭계의 제3 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급 공정을 적어도 포함하고, 상기 제1 가스 공급 공정과 상기 제2 가스 공급 공정을 적어도 1회 이상 실시하고, 상기 기판 표면의 실리콘 노출면에 선택적으로 에피택셜막을 성장시켜서 이루어지는 것이고, 상기 제2 가스 공급 공정에서는, 또한 상기 제1 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급한다.</p> |
