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<p>술펜아미드 화합물을 가황 촉진제로 하는 고무 복합체에 있어서, 반경험적 분자 궤도 계산법을 이용하여 계산한 술펜아미드 화합물로부터 생성되는 아민과 금속 재료의 표면의 결합 차수가 0이고, 비경험적 분자 궤도 계산법을 이용하여 계산한 술펜아미드 화합물의 S-N(아민 부위)의 결합 거리가 1.67Å미만이고, 또한 S-N 결합이 해리된 결과 생성되는 아민 라디칼의 N 전하가 -0.295 이하인 술펜아미드계 가황 촉진제를 사용하여, 직접 가황 접착법에 의해 고무 복합체를 제작한다.</p> |
