LIGAS DE ÓXIDOS TIPO P BASEADOS EM ÓXIDOS DE COBRE, ÓXIDOS ESTANHO, ÓXIDOS DE LIGAS DE ESTANHO-COBRE E RESPECTIVA LIGA METÁLICA, E ÓXIDO DE NÍQUEL, COM OS RESPECTIVOS METAIS EMBEBIDOS, RESPECTIVO PROCESSO DE FABRICO E UTILIZAÇÃO

摘要

O PRESENTE INVENTO RELACIONA-SE COM FILMES FINOS COMPREENDENDO MONÓXIDOS NÃO ESTEQUIOMÉTRICOS DE: COBRE (OCU2)X COM COBRE METÁLICO CÚBICO (CUCY) EMBEBIDO [(OCU2)X+(CU1-2)Y, ONDE 0,05≤X<1 E 0,01≤Y≤0,9]; DE ESTANHO (OSN)X COM ESTANHO METÁLICO (SNX) EMBEBIDO [(OSN)Z+(SN1-2)W ONDE 0,05≤Z<1 E 0,01≤W≤0,9]; LIGAS DE CUCX-SNX COM SN E CU METÁLICOS EMBEBIDOS [(O-CU-SN)A+(CUΑ-SNΒ)B COM 0<Α<2 E 0<Β<2, ONDE 0.05≤A<1 E 0,01≤B≤0,9]; E DE NÍQUEL (ONI)X COM ESPÉCIES DE NI E SN EMBEBIDAS [(O-NI)A+(NIΑ-SNΒ)B COM 0<Α<2 E 0<Β<2, ONDE 0,05≤A<1 E 0.01≤B≤0,9]; OU SUAS COMBINAÇÕES, DE ESTRUTURA AMORFA OU NANOCRISTALINA OU POLICRISTALINA, DOPADOS OU NÃO, COM IMPUREZAS COMO ZIRCÓNIO, AZOTO OU FLÚOR, PARA A FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS CMOS OU TFT, DE MATRIZES ACTIVAS PARA LCD OU OLED, FABRICO DE CIRCUITOS LÓGICOS, ENTRE OUTROS, USANDO SUBSTRATOS RÍGIDOS OU FLEXÍVEIS, EM QUE SE USA UMA CAMADA DE PROTECÇÃO COMO O SU8 OU EQUIVALENTE, OU FILMES DE ÓXIDO DE SILÍCIO OU NÍTRETO DE SILÍCIO, PARA ENCAPSULAMENTO.