Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Halbleiterwafer (10), der auf seiner Oberfläche ausgebildete IGBT-Elemente (1) und Transistoren (2) aufweist, wird vorbereitet. Die gesamte Oberfläche des Halbleiterwafers (10) wird mit Elektronenstrahlen bestrahlt. In den IGBT-Elementen (1) und den Transistoren (2) werden Rekombinationszentren ausgebildet. Die AN-Spannungen der Transistoren (2) werden durch eine Messvorrichtung (15) gemessen und die in den IGBT-Elementen (1) und den Transistoren (2) festgelegten Lebensdauern werden durch eine vorgegebene Ausheilbehandlung wiederhergestellt. Wenn die Lebensdauern wiederhergestellt werden, dann steuert eine Steuervorrichtung (16) den Umfang einer Ausheilbehandlung bei der Ausheilbehandlung basierend auf den gemessenen AN-Spannungen der Transistoren (2) dergestalt, dass die AN-Spannungen der IGBT-Elemente (1) jeweils gleich einer gewünschten AN-Spannung sind. Schwankungen in den AN-Spannungen einer Mehrzahl von IGBT-Elementen (1), die von einem Halbleiterwafer (10) erhalten werden, werden verringert.