Kontaktelemente eines Halbleiterbauelements, die durch stromloses Plattieren und Entfernung von überschüssigem Material mit geringeren Scherkräften hergestellt sind

摘要

Kontaktelemente in der Kontaktebene eines Halbleiterbauelements werden auf der Grundlage einer selektiven Abscheidetechnik, etwa durch stromloses Plattieren, hergestellt, wobei eine effiziente Einebnung der Kontaktebene erreicht wird, ohne dass die Kontaktelemente einer unerwünschten mechanischen Belastung ausgesetzt werden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird eine Überfüllung der Kontaktöffnungen zuverlässig vermieden und das Einebnen der Oberflächentopographie wird auf der Grundlage eines nicht-kritischen Polierprozesses erreicht. In anderen Fällen werden elektrochemische Ätztechniken in Verbindung mit einer leitenden Stromverteilungsschicht angewendet, um überschüssiges Material der Kontaktelemente zu entfernen, ohne eine unerwünschte mechanische Belastung hervorzurufen.