Halbleiterbauelement mit Metallgatestrukturen, die durch ein Austauschgateverfahren hergestellt sind, und E-Sicherung mit einem Silizid

摘要

In einem Austauschgateverfahren zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεwerden elektronische Sicherungen auf der Grundlage eines Halbleitermaterials in Verbindung mit einem Metallsilizid bereitgestellt, indem eine abgesenkte Oberflächentopographie und/oder eine verbesserte Selektivität des Metallsilizidmaterials während des Austauschgateverfahrens angewendet werden. Beispielsweise werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen elektronische Sicherungen in einem abgesenkten Bereich eines Isolationsgebiets vorgesehen, wodurch das Entfernen des Halbleitermaterials vermieden wird, wenn das Halbleitermaterial der Gateelektrodenstrukturen durch ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial ersetzt wird. Folglich kann das Konzept von gut etablierten halbleiterbasierten elektronischen Sicherungen im Zusammenhang mit komplexen Austauschgatestrukturen von Transistoren angewendet werden.