| 摘要 |
<p>본 발명은 습식 블라스팅 공법을 이용한 천연 실리카 정제방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리카 성분을 활용할 수 있는 규석의 표면에 형성된 이물질을 습식 블라스팅 공법을 이용한 표면 식각공정을 통해 제거하여, 고순도로 정제하기 위한 습식 블라스팅 공법을 이용한 천연 실리카 정제방법에 관한 것이다. 본 발명의 습식 블라스팅 공법을 이용한 천연 실리카 정제방법은 천연 규석에 함유되어져 있는 불순물을 정제하여 고순도 실리카를 산출하기 위한 정제과정을 수행함에 있어서: 상기 천연 규석을 30㎜~100㎜로 파쇄하는 1차 파쇄단계(S201)와; 습식 블라스팅을 이용하여 상기 1차 파쇄된 천연규석의 표면을 식각하는 표면식각 단계(S202)와; 상기 표면식각된 천연규석을 30㎜ 이하로 파쇄하는 2차 파쇄단계(S203)와; 물을 이용한 세척 및 스크리닝 단계(S204)와; 자석을 이용한 자력선별 단계(S205)와; 소량의 비중을 선별하기 위한 스파이럴형 선별 단계(S206)와; 다량의 비중을 선별하기 위해 쉐이킹 테이블을 이용한 비중선별 단계(S207) 및; 초순수에 의한 세척단계(S208)를 거쳐 고순도 실리카를 산출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 습식 블라스팅 공법을 이용한 천연 실리카 정제방법은 파쇄공정에서 천연 규석의 표면에 형성된 이물질을 습식 블라스팅 공법을 이용한 표면 식각공정을 통해 제거하는 물리적 정제공정을 거친 후에, 강산을 사용하지 않고 초순수(超純水)를 사용하여 세척함으로써, 장비의 부식/훼손을 억제하며, 유해 환경의 발생을 방지하며, 공정운용의 비용을 절감하면서도 고순도 실리카를 산출할 수 있다는 이점이 있다.</p> |
