Manufacturing Method of Schottky Barrier Tunneling Transistor

摘要

본 발명에 따라 제조된 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자는 통상의 방법으로 제작된 소자 보다 전기적 및 구조적 특성이 우수하기 때문에 고품질의 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자를 제작할 수 있다.