| 发明名称 | 功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端结构包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环，所述沟道环的材料为相对介电常数为1～15之间的本征多晶材料。本发明的功率半导体器件的终端结构中沟道环采用相对介电常数在15以内的本征多晶材料，使通过该沟道环区域内的电场线接近水平、并且在该区域内无极值点，可以很好地降低载流子的滞留量，从而提高击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102208436A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201010141174.1 | 申请日期 | 2010.03.31 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 周振强;江堂华;吴家键;蔡桥斌 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种功率半导体器件的终端结构，包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环，其特征在于，所述沟道环的材料为相对介电常数为1～15之间的本征多晶材料。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||