| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子机器 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供可以相应于大型芯片、通过细密配线形成多个外部端子、而且连接可靠性高的半导体装置。该半导体装置是在具有多个电极(9)的半导体元件(2)上形成(1)层或多层树脂层、与电极(9)电连接的多个配线(4)和与该配线(4)电连接的多个外部端子(7)的半导体装置(1)，多个配线(4)的一部分或全部由从与电极(9)连接的部分向着半导体元件(2)的中心(10)方向的第1配线部(4a)、和与该第1配线部(4a)连接、从半导体元件(2)的中心(10)方向向着外侧与外部端子(7)连接的第2配线部(4b)形成，在第1配线部(4a)和第2配线部(4b)之间至少形成1层树脂层。 | ||
| 申请公布号 | CN101673718B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200910179067.5 | 申请日期 | 2004.12.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 伊东春树 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：具有多个电极的半导体元件；与上述电极电连接的外部端子；与上述电极连接的第1配线；与上述外部端子连接的第2配线；在上述第1配线和上述第2配线之间形成的树脂层，上述半导体装置中，上述第2配线通过上述树脂层上形成的过孔与上述第1配线连接，上述第1配线连接上述第2配线的部分，比与上述第1配线连接的上述电极更靠近上述半导体元件的中心，上述第1配线连接上述第2配线的部分，比与上述第2配线连接的上述外部端子更靠近上述半导体元件的中心。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||