发明名称 |
基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,本发明是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层。本发明通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部,利用ZnO纳米线巨大的比表面积增大电池的受光面积,以及利用这些纳米线作为薄膜电池内部载流子的输送桥梁将载流子的迁移距离有几十微米减少至几百纳米,极大地提高了电池内部载流子收集效率,从而提高硅基薄膜电池的效率。 |
申请公布号 |
CN102208459A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110111203.4 |
申请日期 |
2011.04.29 |
申请人 |
杭州天裕光能科技有限公司 |
发明人 |
郝芳;吴兴坤;叶志高;叶平平 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
浙江翔隆专利事务所 33206 |
代理人 |
胡龙祥 |
主权项 |
基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池,其特征是:在基板(1)上自下而上依次沉积ZnO纳米线(2)、硅基薄膜层(3)、背电极层(4)和封装材料层(5)构成。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市江干区下沙杭州经济技术开发区出口加工区16号大街 |