高电流半导体功率器件小外形集成电路封装

摘要

本发明公开了一种高电流半导体功率小外形集成电路封装。该封装包括由具有大于8mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框，所述引线框具有多个引线和第一引线框区，该第一引线框区包括焊接到其上的芯片；一对设置在与芯片顶表面同一平面上的引线键合区域；将芯片连接到多个引线上的铝制大直径键合导线；和密封芯片，键合导线和引线框的至少一部分的树脂体。

主权项

一种高电流半导体功率小外形集成电路封装，其特征在于，该封装包括：由具有大于8密尔mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框，该引线框具有多个引线和第一引线框区，该第一引线框区包括焊接到其上的芯片；一对设置在与芯片顶表面同一平面上的引线键合区域；将芯片连接到多个引线上的铝制直径直至20mil的键合导线；和密封芯片、键合导线和引线框的至少一部分的树脂体；所述封装具有可安装到TO 252封装焊接区图形上的引线脚，所述的高电流半导体功率小外形集成电路封装还包括能够匹配TO 252封装焊接 区图形的向外延伸的漏极、源极和栅极引线，所述的引线脚与高电流半导体功率小外形集成电路封装的引脚匹配；所述的键合区域包括源极键合区域，所述的源极键合区域延伸经熔融的源极引线的全长。