| 发明名称 | 等离子体刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体刻蚀方法，包括：提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化，采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。采用本发明刻蚀后的有机材料层均匀性好，转移图案均一性高。 | ||
| 申请公布号 | CN102208333A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110141821.3 | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王兆祥 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种等离子体刻蚀方法，包括：提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；其特征在于，以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化，采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||