| 发明名称 | 蒽衍生物及采用所述衍生物的发光元件和发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的是提供一种发光材料，该材料能够耐受反复氧化反应。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有长寿命的发光元件。本发明的一个方面是由通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R 2至R 4以及R 7至R 9独立地为氢、具有1至4个碳原子的烷基、以及由以下结构式(2)表示的基团中的任一个，R 1、R 5、R 6和R 10独立地为氢以及具有1至4个碳原子的烷基中的任意一个。 | ||
| 申请公布号 | CN1865205B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200510073741.3 | 申请日期 | 2005.05.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山县祥子;野村亮二;小岛久味;濑尾哲史 |
| 分类号 | C07C15/28(2006.01)I;C07C211/54(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I | 主分类号 | C07C15/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 韦欣华;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种由式(6)表示的蒽衍生物<img file="FSB00000508492400011.GIF" wi="1050" he="1177" /> | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||