发明名称 METHOD FOR FORMING COPPER OXIDE
摘要 <p>본 기술에 따르면, 착물을 이용한 전기화학증착 방식에 의해 산화구리막을 형성함으로써, 표면이 매끄럽고 결정 방위 배열이 일정한 산화구리 박막을 형성할 수 있다. 특히, 착물을 이용하는 함으로써, 저온에서 단결정 선화구리막을 형성할 수 있으므로, 제조 단가를 낮추고, 공정을 더욱 용이하게 수행할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101069738(B1) 申请公布日期 2011.10.05
申请号 KR20090022569 申请日期 2009.03.17
申请人 发明人
分类号 C25D3/38;C25D11/34;H05K1/09 主分类号 C25D3/38
代理机构 代理人
主权项
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