发明名称 CONTROLLED EDGE THICKNESS IN A SILICON WAFER
摘要 <p>중심 부근의 두께보다 더 크거나 더 작은 에지 부근 영역에서의 두께를 갖는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼가 제공된다. 웨이퍼는 에지 두께를 제어하도록 에피텍셜층의 증착 동안 하나 이상의 공정 파라미터가 조정되는 방법에 의해 제조될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101069293(B1) 申请公布日期 2011.10.05
申请号 KR20090008419 申请日期 2009.02.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L27/12 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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