| 发明名称 | 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | ||
| 摘要 | 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度，起到了在大应变条件下减小缺陷，增加跃迁波长到2.3μm的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN102208756A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110100538.6 | 申请日期 | 2011.04.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 汪明;杨涛 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||