| 发明名称 | BCD工艺中的N型LDMOS器件及其版图制作方法和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种BCD工艺中N型LDMOS器件及其版图制作方法和制造方法，用于在器件的漏极位于器件的圆形版图布图时，通过将NTUB区域(4)在器件源极(13)处的边界定义在器件源极(13)的N+区域(11)靠近P+区域(12)一侧的边界处，器件所在的NTUB区域(4)在器件源极(13)处对器件区域(6)边界的覆盖可以被省略，同时这一覆盖在整个工艺结束后、NTUB区域(4)存在较大的横向扩散情况下可以被减小到最小。本发明可以应用于漏极位于器件的圆形版图布图的N型LDMOS的版图制作以及器件制造过程中，可以有效减小N型LDMOS的芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101359664B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200710044405.5 | 申请日期 | 2007.07.31 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 顾鹏程;王炜 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;徐金伟 |
| 主权项 | 一种BCD工艺中的N型LDMOS器件，其特征在于：采用圆形版图布图方式，该LDMOS器件(17)包含P型衬底区域(1)、位于该P型衬底区域(1)之上的N型埋层(2)、位于该N型埋层(2)之上的P型外延层(21)，位于该P型外延层(21)内的用于在其中形成N型LDMOS器件的NTUB区域(4)、用于隔离所述NTUB区域的P型区域、位于该P型外延层(21)内的用于形成器件源极的P型沟道区(6)、位于该P型沟道区(6)内且外接到源电极(S13)的P+区域(12)、位于该P型沟道区(6)内的源极(13)的N+区域(11)和位于版图中央的漏极(15)的N+区域(11)、栅极(14)、场氧化层(7)；其中，该LDMOS器件(17)所在的NTUB区域(4)对该P型沟道区(6)的覆盖被省略。 | ||
| 地址 | 200233 上海市宜山路810号 | ||