接触孔的形成方法

摘要

本发明公开了一种接触孔形成方法，包括：提供一半导体结构，其从下至上包括：半导体衬底-导电层-刻蚀阻挡层-介质层；用含氟的第一气体对半导体结构进行第一刻蚀，停止在介质层和刻蚀阻挡层的交界处；用含氟的第二气体对半导体结构进行第二刻蚀，停止在刻蚀阻挡层内；用含氟的第三气体对半导体结构进行第三刻蚀，形成接触孔；其中，用所述第二气体刻蚀大于用第三气体刻蚀，介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比；并且，用所述第二气体刻蚀小于用第一气体刻蚀，介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比。该方法使得介质层、刻蚀阻挡层充分打开，接触孔连通导电层。

主权项

一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构从下至上包括：半导体衬底‑导电层‑刻蚀阻挡层‑介质层；用含氟的第一气体对半导体结构进行第一刻蚀，刻蚀停止在介质层和刻蚀 阻挡层的交界处；用含氟的第二气体对半导体结构进行第二刻蚀，刻蚀停止在刻蚀阻挡层内；用含氟的第三气体对半导体结构进行第三刻蚀，将刻蚀阻挡层刻尽，形成接触孔，所述接触孔的底部暴露导电层；其中，用所述第二气体刻蚀时介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于用第三气体刻蚀时的介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比；并且，用所述第二气体刻蚀时介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比小于用第一气体刻蚀时的介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀选择比。