发明名称 |
陶瓷材料中的余辉的测量和/或判断方法和检测器 |
摘要 |
本发明涉及陶瓷材料中的余辉的测量和/或判断方法和检测器。具体地说,本发明涉及通过测量Eu-、Tb-和/或Yb-含量来测量和/或判断陶瓷材料,尤其是Gd2O2S材料和/或前体材料中的余辉的方法。 |
申请公布号 |
CN101523196B |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN200780030252.7 |
申请日期 |
2007.08.09 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
C·R·龙达;G·蔡特勒;H·施赖讷马赫尔 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
于辉 |
主权项 |
Gd2O2S:M荧光陶瓷材料和/或所述陶瓷材料的前体材料中的余辉的测量和/或判断方法,其中M代表至少一种选自Pr、Dy、Sm、Ce、Nd和/或Ho的元素,其中,在延时光谱的帮助下,通过测量在所述荧光陶瓷材料和/或前体材料中的Eu‑、Tb‑和/或Yb‑浓度来测量和/或判断余辉,所述延时光谱包括在波长区域≥100nm至≤300nm的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的激发,所述前体材料是指制备Gd2O2S材料的材料,所述延时光谱包括在时间T0时陶瓷材料和/或前体材料的激发的结束和在时间T1后测量的延迟的开始。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |