多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置

摘要

本实用新型涉及一种多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，包括去离子水储存箱、喷洒水膜装置，在去离子水储存箱内设有低液位感应器和高液位感应器，低液位感应器、高液位感应器连有PLC控制器，PLC控制器与进水管的气动阀、排水管的气动阀相连。本实用新型克服了人工上片时硅片不整齐导致喷水点不是同一时间作业，喷水点的压力时常变化使喷水量有差异及去离子水储存箱在使用过程中液位的降低幅度大导致水压的降低的问题，完全适合于大规模生产。

主权项

一种多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，包括去离子水储存箱、喷洒水膜装置，其特征是，在去离子水储存箱内设有低液位感应器和高液位感应器，低液位感应器、高液位感应器连有PLC控制器，PLC控制器与进水管的气动阀、排水管的气动阀相连。