层叠介质层的形成方法和金属前介质层的形成方法

摘要

本发明公开了一种层叠介质层的形成方法，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行去潮气处理；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。同时还公开了一种金属前介质层的形成方法。采用本发明所述的方法能够恢复并保持层叠介质层中第一介质层的应力，以获得期望的层叠介质层应力状态。

主权项

一种层叠介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层采用高深宽比‑亚大气压化学气相沉积法形成；对所述第一介质层进行去潮气处理，用来恢复并保持层叠介质层中第一介质层的应力，以获得期望的层叠介质层应力状态；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层采用产能相对较高的HDPCVD、PECVD或传统的SACVD工艺形成，所述第二介质层的材料是未掺杂的二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介电常数材料中的一种或其组合。