| 发明名称 | 去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法，涉及半导体制造领域的蚀刻工艺。所述干法蚀刻方法在制程腔室内进行，其中制程腔室内位于等离子区两侧的上基板和下基板的电势差小于300伏。与现有技术相比，本发明提供的去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法，通过降小等离子区的电势差，大大减少了等离子体对晶圆硅衬底轰击的几率，优化了后续工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101587836B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200810037676.2 | 申请日期 | 2008.05.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄敬勇;钟鑫生;朱海波;方文强 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法，所述干法蚀刻方法在制程腔室内进行，其中制程腔室内位于等离子区两侧的上基板和下基板的电势差小于300伏，其特征在于，蚀刻氮化硅薄膜的过程中，蚀刻掉部分所述氮化硅薄膜下面的氧化层薄膜，但要保留30埃厚度的所述氧化层薄膜不被蚀刻掉。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||